在LED行業中，我國自主創新的硅襯底LED技術被譽為繼碳化硅SiCLED技術、藍寶石襯底LED技術之外的第三條技術路線，其打破了日本和歐美LED廠商形成的牢固的專利壁壘，擁有完全自主知識產權，可以自由走向國外。
　　難!這是所有了解LED技術的人對在硅襯底上生長LED材料的第一反應。難在哪兒?在2004年以前，30多年的研究并沒有解決硅襯底和氮化鎵材料的熱失配和晶格失配的難題，人們無法得到高質量的氮化鎵發光薄膜。
　　好!硅襯底LED技術路線是LED業界幾十年夢寐以求的技術路線。好在哪兒?如果能突破硅襯底LED技術難題，實現大尺寸大規模生產，可以大幅降低成本，加速LED照明時代的到來!
　　硅襯底LED技術路線是LED業界夢寐以求的技術路線，但由于技術難度大，因而大都停留在研究室的試水階段。篳路藍縷、以啟山林——直到2004年，在南昌大學的一間簡陋的實驗室里，硅襯底LED藍光芯片率先破繭而出，硅襯底LED技術實現了顛覆性的突破，在世界LED歷史上具有劃時代的里程碑意義。
　　如今，十年過去，LED硅襯底技術作別了只存在于實驗室的歷史。在金沙江創投等一批風險投資的傾力支持下，業已發展為擁有晶能光電、中節能晶和照明等10家公司的全產業鏈產業集群，產業鏈的銷售額2013年達到10億人民幣，2014年將有望達到25億元。